[发明专利]制造凹式栅极结构的方法无效
| 申请号： | 200410101203.6 | 申请日： | 2004-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1630040A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 长世亿;赵兴在;金愚镇;朴滢淳;金瑞珉;郑台愚 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种用以制造凹式栅极结构的方法。该方法包含下列步骤：选择性蚀刻衬底，以形成多个开口；在开口和衬底上形成栅极氧化物层；在栅极氧化物层上形成第一导电硅层，以形成多个其高度与期望的图案形成之后的剩余厚度相等或更大的谷；平坦化第一导电硅层，直到得到期望图案形成后的剩余厚度，以使谷被移除；在平坦化后的第一导电硅层上形成第二导电层；及选择性蚀刻第二导电层，第一导电硅层和栅极氧化物层，以形成多个凹式栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 栅极 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以制造凹式栅极结构的方法，包含下列步骤：选择性蚀刻衬底以形成多个开口；在开口和衬底上形成栅极氧化物层；在栅极氧化物层上形成第一导电硅层，以形成多个其高度与期望的图案形成之后的剩余厚度相等或更大的谷；平坦化第一导电硅层，直到得到期望图案形成后的剩余厚度，以使谷被移除；在平坦化的第一导电硅层上形成第二导电层；及选择性蚀刻第二导电层、第一导电硅层和栅极氧化物层，以形成多个凹式栅极结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410101203.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机EL显示器及其基板
- 下一篇：信号电平转换电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
