[发明专利]非挥发性内存及其制造方法

摘要

一种非挥发性内存，此内存包括基底、介电层、导体层、隔离层、埋入式位线、穿隧介电层、电荷陷入层、阻挡介电层与字符线。其中，介电层配置于基底上，导体层配置于介电层上，而隔离层配置于基底上，且隔离层与导体层以及介电层相邻。另外，埋入式位线配置于基底中，且位于隔离层下方。其中，穿隧介电层配置于基底上以及导体层与隔离层的侧壁，电荷陷入层配置于穿隧介电层上，阻挡介电层配置于电荷陷入层上。另外，字符线配置于基底上，且字符线与埋入式位线彼此交错。

主权项

1.一种非挥发性内存的制造方法，其特征在于：包括：提供一基底，在该基底上依序形成一介电层、一导体层与一掩模层；图案化该掩模层、该导体层与介电层，以形成暴露出该基底的多数个第一开口；在各个这些第一开口底部的基底中形成一埋入式位线；在该基底上形成一隔离层于这些第一开口；删除部分隔离层，并以剩余的隔离层为掩模以形成多数个第二开口；删除掩模层与覆盖掩模层的隔离层；在该基底上依序形成一穿隧介电层、一电荷陷入层与一阻挡介电层，共形的覆盖这些第二开口、隔离层与导体层；在这些第二开口中填入一材料层；删除未被该材料层覆盖的部分穿隧介电层、电荷陷入层与阻挡介电层；删除材料层；以及在该基底上形成一字符线。