[发明专利]低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极无效
| 申请号： | 200410101246.4 | 申请日： | 2004-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1622353A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 沈光地;朱彦旭;李秉臣;郭霞;董立闽 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构为：第一层是掺杂的半导体层基底(1)；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层(8)；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜(3)；第四层是在银高反镜上的一层保护层(4)，其特征在于：所述的欧姆接触层(8)上带有贯通的圆形微孔(10)，圆形微孔(10)内镀了透明膜(9)。透明膜的最佳光学厚度为器件发光波长的四分之一，透明膜(9)的折射率小于半导体基底(8)和银高反镜(3)的复折射率，形成了折射率高低高的结构。本发明的LED电极达到了接触电阻低、光吸收少，同时又提高了热可靠性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 电阻 光吸收 全角 反射 led 电极 | ||
【主权项】：
1、一种低接触电阻、低光吸收、全角度高反射的LED电极，第一层是掺杂的半导体层基底(1)；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层(8)；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜(3)；第四层是在银高反镜上的一层保护层(4)，其特征在于：所述的欧姆接触层(8)上带有贯通的圆形微孔(10)，圆形微孔(10)内镀了透明膜(9)。
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