[发明专利]带有偏置电路的放大器件

摘要

本发明公开了一种运算放大器。运算放大器对通过直接连接到压电器件的输入端接收到的信号进行放大。偏置电压发生部分包括在电源端与接地端之间的分压器。p－沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极和源极分别连接到运算放大器的输入端和接地端。由于分压器向栅极和背栅极上施加偏置电压，所以p－沟道金属氧化物半导体场效应晶体管保持OFF状态。由于漏极－背栅极寄生二极管将漏极电位钳制在偏置电压，因此，偏置电压被施加到运算放大器的输入端。然后，漏极－背栅极之间的电阻值极大。p－沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和放大器件的其他电路一起嵌入在衬底上。从而，具有极高输入阻抗的放大器件为单一集成电路结构。

主权项

1、一种放大器，包括：衬底；高位电源端子，其连接到外部恒压源并保持在固定的高电位；低位电源端子，其连接到外部恒压源和接地导体中的一个，并且保持在固定的低电位；放大电路，其具有金属氧化物半导体场效应晶体管输入级，并包括连接到外部信号源的输入端，嵌入在所述的衬底上，通过所述的输入端接收所述信号源的信号并按预定的比率放大信号；以及偏置电路，其嵌入在所述衬底上，其包括：产生预定偏置电压的偏置电压发生部分；以及用作输入阻抗器件的金属氧化物半导体场效应晶体管，其包括：漏极和源极，所述漏极和源极中的一个连接到所述的高位电源端子和低位电源端子中的一个，所述漏极和源中的另一个连接到所述放大电路的输入端，栅极，其保持在一定电位，以阻止在所述的漏极和所述的源极之间产生沟道，以及背栅极，与所述衬底电分隔开，并且保持在等于所述偏置电压的电位上。