[发明专利]闪存存储元件及其制造方法

摘要

一种闪存存储元件的制造方法，是先在一基底上形成数条包含穿隧氧化层、以及第一导体层的堆栈结构。然后，在堆栈结构之间的基底内形成数个埋入式掺杂区，再在基底上形成一介电层覆盖堆栈结构。然后，回蚀刻该介电层，续以残留的部分介电层作掩模，去除部分第一导体层厚度。最后，去除剩余的介电层，再在第一导体层表面依序形成一层间介电层与第二导体层。本发明因采用自动对准方式定义形成浮置栅极，且浮置栅极结构上窄下宽，可简化制程并提高堆栈式栅极的栅极耦合率。

主权项

1.一种闪存存储元件的制造方法，其特征在于：包括：在一基底上形成多数条堆栈结构，各堆栈结构包括由基底表面依序堆栈的一穿隧氧化层与一第一导体层；在这些堆栈结构之间的基底内形成多数个埋入式掺杂区；在该基底上形成一介电层，以覆盖这些堆栈结构；回蚀刻该介电层，并残留部分该介电层在该堆栈结构表面；以残留的该介电层作为掩模，去除部分的第一导体层；去除剩余的介电层；在第一导体层表面形成一层间介电层；以及在该层间介电层上形成一第二导体层。