[发明专利]非易失性存储器及其操作方法有效
| 申请号： | 200410101680.2 | 申请日： | 2004-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1797768A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘;陈逸舟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/82;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性存储单元，其由一临界交换薄膜与一存储交换薄膜所构成。其中，存储交换薄膜为一存储单元，而临界交换薄膜为一导向单元。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储单元，包括：一临界交换薄膜；以及一存储交换薄膜，其中，该存储交换薄膜为一存储单元，而该临界交换薄膜为一导向(Steer)单元，且作为该导向单元的薄膜，当施加大于其启始电压的一电压时，会发生电压崩溃，而当关闭该电压时，则会回复的原本的状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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