[发明专利]一种金属纳米薄膜浸渍钡钨阴极的制备方法无效
| 申请号： | 200410101870.4 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1801427A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘燕文;刘胜英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种金属纳米薄膜浸渍钡钨阴极的制备方法涉及微波器件技术领域，是一种大发射电流密度，低蒸发的金属纳米粒子薄膜浸渍钡钨阴极的制备方法。该方法在浸渍钡钨阴极表面沉积上一层厚度为0.1微米－0.6微米的锇、铱、铼、钌或其合金纳米粒子薄膜，纳米粒子直径约为10纳米－100纳米，以达到增大浸渍钡钨阴极发射电流密度，降低阴极蒸发的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 纳米 薄膜 浸渍 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属纳米薄膜浸渍钡钨阴极的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：a)将钨海绵基底放入阴极支撑筒，用电子束或激光焊接的方法把两者焊接牢固；b)将发射物质在高温状态下浸入钨海绵体基底，再将阴极表面车制成所需弧度；c)将b)步所得阴极放入纳米粒子沉积系统；d)在钨海绵基底外表面沉积金属纳米粒子层。
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