[发明专利]金属有机物化学气相沉积设备反应室中的反烘烤沉积结构

摘要

对于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备，特别是生产型金属有机物化学气相沉积设备，在生长完材料后烘烤石墨基座的过程中，反应室内沉积物特别是石墨基座上的沉积物受热蒸发上升，上升到反应室天棚时，由于温度差石墨沉积物会受冷再次沉积在天棚上。这些天棚上的沉积物造成降低外延片质量，延长金属有机物化学气相沉积设备所需清洗和停机时间，以及浪费原材料等一系列不利影响。本发明提供一种反烘烤沉积结构，可以有效的避免由于烘烤石墨基座所造成的反应室天棚沉积。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积，降低了原材料的损耗，并减少设备的停机时间，提高设备的使用效率。

主权项

1、一种金属有机物化学气相沉积设备反应室中的反烘烤沉积结构，含有反应室、反应室天棚、石墨基座；其特征在于：所述反应室天棚，正对石墨基座的部分，有一缺口，缺口大于石墨基座的面积，缺口内设有磨边活动板，磨边活动板为一块或多块。