[发明专利]薄膜集成电路器件及非接触式薄膜集成电路器件的制造方法有效
| 申请号： | 200410101934.0 | 申请日： | 2004-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1638094A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;高山彻;神野洋平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 随着非接触式和接触式IC芯片日益普遍，必须以低成本批量生产出应用于对人、动植物、商品、钞票等的巨大数量的IC芯片。譬如，制造用于商品、钞票等物的IC芯片的成本应为每IC芯片1到几日元，1日元以下则更好，人们期盼实现以低成本批量生产的IC芯片的一种结构和IC芯片的一种制作工艺。根据本发明，制作薄膜集成电路器件的方法包括以下步骤：在热氧化的硅衬底上形成一剥离层；在剥离层上形成多个薄膜集成电路器件，在其间插入基底膜；在多个薄膜集成电路器件之间刻槽；向槽内引入一种包含卤素氟化物的气体和液体以去除剥离层，分离成多个薄膜集成电路器件。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 集成电路 器件 接触 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作薄膜集成电路器件的方法，包括：在带有氧化物表面的半导体衬底上形成一剥离层；在剥离层上形成多个薄膜集成电路器件，在其间插入基底膜；在多个薄膜集成电路器件之间的边界区刻槽；以及向槽内引入一种包含卤素氟化物的气体或液体以去除剥离层，分离成多个薄膜集成电路器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
