[发明专利]选择性激光结晶的方法及其制造的显示面板有效
| 申请号： | 200410101952.9 | 申请日： | 2004-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1622718A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 许忠义;张志雄 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/12 | 分类号： | H05B33/12;H05B33/08;H05B33/10;G09F9/00;G09G3/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种显示面板，包括：一基板，具有一主动式发光显示区域(Displaying Region)和一驱动电路区域(CircuitDriving Region)；以及一多晶硅层，形成于基板上，且多晶硅层具有一第一多晶硅层及一第二多晶硅层分别与主动式发光显示区域及驱动电路区域相对应，第二多晶硅层的晶粒大小是大于第一多晶硅层的晶粒大小。其中，第二多晶硅层是使用一连续波激光退火(Continuous Wave Laser Annealing)方式而形成，第一多晶硅层主动式发光显示区域则可使用准分子激光退火(ExcimerLaser Annealing，ELA)方式而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 激光 结晶 方法 及其 制造 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种显示面板，包括：一基板，该基板包括一主动式发光显示区域及一驱动电路区域；以及一多晶硅层，形成于该基板上，该多晶硅层对应该主动式发光显示区域及该驱动电路区域为一第一多晶硅层及一第二多晶硅层；其中，该第二多晶硅层的晶粒大小大于该第一多晶硅层的晶粒大小。
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