[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号： | 200410101954.8 | 申请日： | 2004-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1629981A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 山上由展 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/419 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体集成电路具有：字线、位线对、配置于字线与位线对的交叉部的存储器单元、以第1电压预充电位线对的预充电电路，以第2电压放大位线对的电位差的读出放大器电路。第1电压实质上是与在构成读出放大器电路的晶体管导通电压上加上读出放大器电路的偏置电压后的读出放大器电路的导通电压相等的电压，或是在读出放大器电路的导通电压与第2电压之间的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，其特征在于，具有字线，位线对，配置于所述字线与位线对的交叉部的存储器单元，以第1电压对所述位线对进行预充电的预充电电路，以及以第2电压放大所述位线对的电位差的读出放大器电路，所述第1电压实质上是与在构成所述读出放大器电路的晶体管的导通电压上加上所述读出放大器电路的偏置电压后的读出放大器电路的导通电压相等的电压，或是是在所述读出放大器电路的导通电压与所述第2电压之间的电压。
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