[发明专利]半导体存储装置和冗余补救地址的读出方法有效

专利信息
申请号: 200410102105.4 申请日: 2004-12-14
公开(公告)号: CN1674144A 公开(公告)日: 2005-09-28
发明(设计)人: 黒木浩二 申请(专利权)人: 冲电气工业株式会社
主分类号: G11C7/00 分类号: G11C7/00;G11C11/401;G11C29/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明旨在提供一种能够不增加芯片面积而得到冗余补救用的熔丝的切断信息的半导体存储装置和冗余补救地址的读出方法。其解决的方法是:用模式信号MOD设定常规动作模式,用行地址信号RADR顺序指定存储单元块1的全部地址后写入“H”的数据。由于在行地址信号RADR与熔丝电路21、22里所设定的冗余补救地址一致时输出置换信号REP1,所以,“H”数据被写入到不是正规存储单元的冗余存储单元。其次,设定试验动作模式且在全部地址中写入“L”时,这次在正规存储单元内写入“L”,冗余存储单元保留着原样的“H”。因而,如果返回常规动作模式、读出全部地址的数据,则可以判定:让读出“H”数据的地址是冗余补救地址。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 冗余 补救 地址 读出 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于包括:存储单元块,具有根据给予的输入地址所选择的多个正规存储单元,以及作为取代这些正规存储单元中的不良单元而设置的冗余存储单元;熔丝电路,用于根据熔丝被切断的有无,输出补救上述不良存储单元中的显示该不良存储单元位置的冗余补救地址;熔丝判定单元,用于在用模式信号设定常规动作模式且上述输入地址与上述冗余补救地址一致时,输出置换信号,当用该模式信号设定试验动作模式时,或当该输入地址和该冗余补救地址不一致时,不输出该置换信号;以及地址译码器,用于在未被提供上述置换信号时,根据上述输入地址选择上述存储单元块中相当的正规存储单元,在被提供上述置换信号时,选择上述存储单元块中的冗余存储单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冲电气工业株式会社,未经冲电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410102105.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top