[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200410102119.6 | 申请日： | 2004-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1627536A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 竹花康宏;宇野利彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在P型半导体衬底(110)中形成的扩展漏区(102)中，形成P型埋入区(104a和104b)。在所述P型埋入区(104a与104b)之间形成N型埋入区(113)。沿着G－G’平面在N型埋入区(113)和P型埋入区(104a与104b)之间的边界附近的N型埋入区(113)的N型杂质浓度低，且从所述边界至N型埋入区(113)的内侧所述浓度升高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种横向半导体器件，包括：第一导电型的半导体衬底；在所述半导体衬底中形成的第二导电型源区；在所述半导体衬底中形成的第二导电型扩展漏区；在所述源区和所述漏区之间的所述半导体衬底上形成的栅极；在所述扩展漏区中形成的漏区，具有比所述扩展漏区更高的第二导电型杂质浓度；在所述扩展漏区中在自扩展漏区的表面不同的深度的位置形成的至少两个第一导电型埋入区；和在所述第一导电型埋入区之间形成的第二导电型埋入区，其中第二导电型埋入区内的第二导电型杂质浓度比位于第一导电型埋入区与第二导电型埋入区之间边界位置的第二导电型杂质浓度更高。
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