[发明专利]混合集成电路装置的制造方法有效
申请号: | 200410102154.8 | 申请日: | 2004-12-20 |
公开(公告)号: | CN1645579A | 公开(公告)日: | 2005-07-27 |
发明(设计)人: | 金久保优 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/50;H05K1/05 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李贵亮;杨梧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种混合集成电路装置的制造方法,可使在表面上形成电路的电路衬底的外形尺寸正确。本发明混合集成电路装置的制造方法包括:在由金属构成的金属衬底(19)的表面上形成多个由导电图案(18)构成的单元(32)的工序;在金属衬底(19)的各单元(32)的边界上形成槽(20)的工序;将电路元件(14)电连接在各单元(32)的导电图案(19)上的工序;沿槽(20)分割金属衬底(19B),将各电路衬底(16)分离的工序;通过按压电路衬底(16)的侧面部而使侧面平坦化的工序。 | ||
搜索关键词: | 混合 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种混合集成电路装置的制造方法,其特征在于,包括:在衬底表面上形成多个由导电图案构成的单元的工序;将电路元件电连接在所述各单元的所述导电图案上的工序;由所述单元的边界分割所述衬底,将各个电路衬底分离的工序;通过按压所述电路衬底的侧面部使所述侧面平坦化的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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