[发明专利]半导体晶片的清洗方法无效
| 申请号： | 200410102200.4 | 申请日： | 2004-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1638058A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 宫田毅;三由裕一;波冈义哲 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/302;B08B3/08;C11D7/00;C11D7/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶片的清洗方法，能够除去半导体晶片上的金属杂质。本发明的半导体晶片的清洗方法包括：用碱性药液除去半导体晶片上异物的清洗工序；用弱酸性清洗液中和半导体晶片的表面电荷的清洗工序；以及用酸性药液除去残留在半导体晶片上的金属杂质的清洗工序。由于半导体晶片表面被中和，在不带电荷的状态下进行HPM处理，因此金属杂质不会附着，能够使得半导体晶片的表面获得极高洁净度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片的清洗方法，其特征在于：以碱性药液除去半导体晶片表面的异物，清洗所述半导体晶片的工序(a)；所述工序(a)之后，中和所述半导体晶片的表面电荷的工序(b)；以及所述工序(b)之后，以酸性药液除去所述半导体晶片表面的金属杂质，清洗所述半导体晶片的工序(c)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
