[发明专利]具有无源存储元件的存储器中改善读取的方法

摘要

本发明提供了一种在具有无源存储元件的存储器中改善读取信号的方法，其中所述的存储元件是设于字符线与位线的相交处，且所储存的数字信息是以所述存储元件的个别电阻表示。在具有无源存储元件(12－1，...，12－M，12－S)的存储器(10)中改善读取信号的方法中，以所述存储元件的各个电阻表示所储存的信息，在存写信息时，产生一检查以决定是否一逻辑层的各个位线(BL_i)上有超过一半的信息位对应于所述存储元件的低值电阻，在各个位线的所有存储元件上转换所述信息位的逻辑层并产生一额外的检查位(S)，其各个逻辑层乃代表所述信息位的转换或非转换位。

主权项

1.一种用于在具有无源存储元件(12；12-1，12-2，...，12-M，12-S；12-1，...，12-j，...，12-n，12-S1，...，12-Sj，...，12-Sn)的存储器中(10；100)改善读取信号的方法，其中在字线与位线(...，WLk-1，WLk，WLk+1，...以及...BLi-1，BL，BLi+1，...；WL1，...，WLM，WLS；WLS1，WLm1，...，WLsj，WLmj，WLsn，WLmn以及...BLi-1，BLi，BLi+1，...)相交处提供所述的存储元件，且其中所储存的信息是通过所述存储元件的各个电阻来表现，其中，在存写信息至所述存储元件(12；12-1，12-2，...，12-M，12-S；12-1，...，12-j，...，12-n，12-S1，...，12-Sj，...，12-Sn)时，产生一检查以决定在一逻辑层上的一个别的位线(...BLi-1，BL，BLi+1，...)上，是否有超过一半的信息位对应于所述存储元件的一低值电阻，在所述特别位线的所有存储元件上，转换所述信息位的逻辑层且产生一额外的检查位(S)，其各个逻辑层是代表所述信息位的转换或非转换位。