[发明专利]具有电荷存储层的非易失性存储器件的编程方法无效
| 申请号： | 200410102344.X | 申请日： | 2004-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1619704A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 金基喆;高光旭;裵金钟;金相秀;林宝丽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储器件的编程方法，其包括非易失性存储器件的预编程和已预编程的非易失性存储器件的主编程。非易失性存储器件可包括顺序叠置在半导体衬底上的隧道介电层、电荷存储层、阻挡介电层和栅电极。电荷存储层可以是电浮置的导电层或具有陷阱点的介电层。通过在执行预编程之后执行主编程以增加非易失性存储器件的阈值电压，编程电流可以被有效地减少。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电荷 存储 非易失性存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件的编程方法，所述非易失性存储器件包括在半导体衬底和栅电极之间插入的电荷存储层，以及分别在所述栅电极两侧的所述半导体衬底中的源极和漏极，所述编程方法包括：在所述非易失性存储器件上执行预编程以将电子注入到所述电荷存储层中并增大阈值电压；以及在已预编程的所述非易失性存储器件上执行主编程。
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