[发明专利]半导体激光器

摘要

本发明公开了一种半导体激光器1，电流阻挡层19在发光端和发光端的相对一端覆盖在光学谐振器的纵向上延伸的p－型第二覆层17和p－型覆盖层18，在光波导中形成无电流注入区。发光端上的电流阻挡层19被制作得足够大，使得从电流注入区流入的载流子不会到达发光端面，分布在发光端面的近场内的光强度被高度集中，能够扩大发出的激光束的水平发散角度。这种结构有可能优化覆层厚度和电流注入区尺寸之后，独立地扩大水平发散角度。

主权项

1.一种半导体激光器包括：用光波导两端作为部分反射面而形成的一个光学谐振器，光波导是由第一传导型覆层，有源层和第二传导型覆层依次层叠形成的；以及在光学谐振器的第一和第二区上形成的一个电流阻挡层，第一区从光学谐振器的发光端面延伸出第一长度，而第二区从光学谐振器的相对端面延伸出第二长度，其中，所形成的从发光端面延伸出预定长度的一段有源层和从相对端面延伸出的一段有源层具有的能带隙比其剩余段要大，并且将第一长度设置在大于电流从光学谐振器的第一和第二区之外的第三区流入第一区经过的距离，从而控制从发光端面发出的光的水平发散角度，电流经过所述距离通过扩散下降到1/e，其中e是自然对数的底。