[发明专利]具有定位记号的发光二极管装置无效
| 申请号： | 200410102455.0 | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1797796A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王瑞瑜;方博仁;洪详竣;苏崇智 | 申请（专利权）人： | 南亚光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨;贺华廉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有定位记号的发光二极管装置，主要是在发光二极管的晶粒制程中，设计两相对的对位标志，该两对位标志设于晶粒同一金属平面上，且两对位标志可以角对角或角对边或边对边的方式设置。由于两对位标志设于晶粒的同一金属平面，其表面粗糙度相近，如此可易于制程设备辨别，而能有效的选取晶粒，大幅减少异常状况的发生，进而可提升整体的产能及优良率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 定位 记号 发光二极管 装置 | ||
【主权项】：
1、一种具有定位记号的发光二极管装置，该发光二极管的晶粒具有一透光基板，且透光基板上形成一半导体堆栈结构，其中半导体堆栈结构具有n型的氮化镓(n-GaN)半导体层与p型的氮化镓(p-GaN)半导体层，且半导体堆栈结构具有外漏且分别与n型的氮化镓(n-GaN)半导体层及p型的氮化镓(p-GaN)半导体层相互导通的N极金属垫及P极金属垫，其特征在于；晶粒的金属平面上形成有一定位装置，该定位装置具有两相对的对位标志，该两对位标志位于晶粒的同一金属平面上，且该金属平面的粗糙度相近，使两对位标志的表面粗糙度亦为相近。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚光电股份有限公司，未经南亚光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410102455.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：皮肤和皮下组织损伤的图像监测装置和方法
- 下一篇：发光二极管
