[发明专利]流体供给喷嘴、基板处理装置及基板处理方法无效
| 申请号： | 200410102475.8 | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1638059A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 菅野恒;吉冈弘嗣 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B3/02;B05B1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种流体供给喷嘴、基板处理装置及基板处理方法，流体供给喷嘴(100)包括流入流体的流体流入部(101)，蓄积流体的储液部(102)，设置在流体流入部(101)和储液部(102)之间的、具有用于边降低流速边使流体流入储液部(102)的节流孔(103a)的流速调整壁(103)，以及具有用于由施加在储液部(102)上的压力排出流体的狭缝(105)的排出部(104)。基板处理装置用这样的流体供给喷嘴构成。另外，基板处理方法包括通过以连续的一层膜状排出流体并供给到基板上来进行基板的处理的工序。因此，能使用流体供给喷嘴(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 流体 供给 喷嘴 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种流体供给喷嘴，其特征在于，包括：流体流入的流体流入部；储液部，连接在上述流体流入部上，蓄积上述流体；流速调整壁，设置在上述流体流入部和上述储液部之间，具有用于一边降低流速一边使上述流体通过的节流孔；以及排出部，连接在上述储液部上，具有用于由通过了上述节流孔的上述流体的压力排出上述流体的狭缝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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