[发明专利]发光二极管元件无效
| 申请号： | 200410102500.2 | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1797797A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 李允立;苏伟迈;刘恒 | 申请（专利权）人： | 伊光光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 党晓林 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种具阵列型开口的发光二极管元件，可提高前述元件的光输出率。前述阵列型开口用以提供较大的侧边面积，以增加前述开口侧边的光萃取率。藉由前述阵列型开口，在前述元件内部全反射而陷于元件内部的光子可经由前述开口侧边萃取出来。前述阵列型开口形状可有各种变化的设计，以增加开口侧边面积。大型发光二极管元件可藉前述阵列型开口提高其光输出率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管元件，其特征是，包括：一发光二极管芯片，具有一基板、一N型半导体层、一P型半导体层及一发光层介于该N型半导体层及该P型半导体层之间；至少一开口，设于该发光二极管芯片的一发光面积内；一N型电极电性连接于该N型半导体层及一P型电极电性连接于该P型半导体层。
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