[发明专利]TFT阵列试验方法无效
| 申请号： | 200410102522.9 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1670535A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 板垣信孝 | 申请（专利权）人： | 安捷伦科技公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R31/26;G09G3/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明可缩短TFT阵列的像素的好坏试验时间。上述课题可通过一种具有以下特征的试验方法等得以解决：该方法为TFT阵列的试验方法，该TFT阵列包含一个或复数个第1像素，其含有连接于像素选择开关的一端的电容器，一个或复数个第2像素，其含有连接于像素选择开关的一端的电容器，以及数据线，其连接于上述第1像素的上述像素选择开关的他端及第2像素的上述像素选择开关的他端，该试验方法包含将上述第1像素的上述电容器充电至第1电压的步骤，将上述第2像素的上述电容器充电至第2电压的步骤，将上述第1像素的上述像素选择开关及第2像素的上述像素选择开关设为接通状态的步骤，以及测定上述数据线的电压及流动于上述数据线的电荷量中任何一者或两者的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 试验 方法 | ||
【主权项】：
1.一种试验方法，其特征在于：其供试验TFT阵列，该TFT阵列包含一个或复数个第1像素，其含有连接于像素选择开关的一端的电容器，一个或复数个第2像素，其含有连接于像素选择开关的一端的电容器，以及数据线，其连接于上述第1像素的上述像素选择开关的他端及第2像素的上述像素选择开关的他端；另外，该试验方法包含将上述第1像素的上述电容器充电至第1电压的步骤，将上述第2像素的上述电容器充电至第2电压的步骤，将上述第1像素的上述像素选择开关及第2像素的上述像素选择开关设为接通状态的步骤，以及测定上述数据线的电压及流过上述数据线的电荷量中任何一者或两者的步骤。
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