[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 200410102705.0 | 申请日： | 2004-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1797798A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陈庆仲;吴世民;杨景安;林威志;刘梅 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，其中第一半导体层设置于基板上，而第二半导体层设置于第一半导体层上，且第二半导体层与第一半导体层为不同掺杂型态。此外，第二电极设置于第二半导体层上，而第一电极设置于第一半导体层上，并围绕第二电极设置。另外，介电层设置于基板上，并使第一电极与第二电极电绝缘。重设置线路设置于介电层上，并连接至第一电极与第二电极，以于介电层上提供第一延伸电极与第二延伸电极。此发光二极管可避免电流壅塞的现象，并具有较高的可靠性与较佳的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征是包括：基板；第一半导体层，设置于该基板上；第二半导体层，设置于该第一半导体层上，其中该第二半导体层暴露出该第一半导体层之外围区域，且该第二半导体层与该第一半导体层为不同掺杂型态；第二电极，设置于该第二半导体层上；以及第一电极，设置于该第二半导体层所暴露之该第一半导体层之外围区域上，并围绕该第二电极。
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