[发明专利]比较电路及电源电路无效
| 申请号： | 200410102891.8 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1638277A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 上条治雄 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/00 | 分类号： | H03K17/00;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种可高精度地检测电源电压下降的比较电路及电源电路。比较电路(10)，在第一及第二电源线之间，包括电流镜电路CM1、差动对(20)、第一电流源CS1。差动对(20)包括：增强型n第一MOS晶体管M1，其输入信号提供给其栅电极；耗尽型n型第二MOS晶体管M2，其源极与第一MOS晶体管M1的源极连接，其阈值电压比第一MOS晶体管M1的阈值电压小。第一MOS晶体管M1的栅电极由包含p型杂质的多晶硅构成，而第二MOS晶体管M2的栅电极则由包含n型杂质的多晶硅构成，同时，连接在第一电源线上，根据第二MOS晶体管M2的漏极电压输出输出信号Vout。 | ||
| 搜索关键词： | 比较 电路 电源 | ||
【主权项】：
1.一种比较电路，其特征在于，包括：差动对，所述差动对具有：增强型n型第一MOS晶体管，在其栅电极提供输入信号；和耗尽型n型第二MOS晶体管，其源极与该第一MOS晶体管的源极连接，而其阈值电压比该第一MOS晶体管的阈值电压小；第一电流源，插入在被提供第一电源电压的第一电源线和所述差动对之间；电流镜电路，插入在被提供第二电源电压的第二电源线和所述差动对之间，对应于所述第一MOS晶体管的漏极电流，产生所述第二MOS晶体管的漏极电流；所述第一MOS晶体管的栅电极，由包含p型杂质的多晶硅形成；所述第二MOS晶体管的栅电极，由包含n型杂质的多晶硅形成，同时，连接所述第一电源线，根据所述第二MOS晶体管的漏极电压输出输出信号。
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