[发明专利]非对称区域存储单元有效
| 申请号： | 200410103275.4 | 申请日： | 2004-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1744299A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 许胜籐;张风燕 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/10;H01L43/12;H01L43/08;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 徐谦;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种非对称区域存储单元，和一种用于形成非对称区域存储单元的制造方法。所述方法包括：形成具有一区域的底部电极；形成覆盖所述底部电极的CMR存储薄膜，其具有非对称区域；并且，形成覆盖所述CMR薄膜具有一区域的顶部电极，所述区域小于所述底部电极区域。在一种情况下，所述CMR薄膜具有第一区域和第二区域，其中所述第一区域与所述顶部电极相邻，所述第二区域大于所述第一区域且与所述底部电极相邻。典型地，所述CMR薄膜第一区域近似等于所述顶部电极区域，尽管所述CMR薄膜第二区域可能小于所述底部电极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 区域 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成非对称区域存储单元的方法，所述方法包括：形成具有一区域的底部电极；形成覆盖所述底部电极的超巨磁阻(CMR)存储薄膜，所述薄膜具有非对称区域；并且形成覆盖所述CMR薄膜的具有一区域的顶部电极，所述区域小于所述底部电极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
