[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410103430.2 | 申请日： | 2004-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1638095A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 宫崎忠一;阿部由之;植松俊英;木村稔;铃木一成;小田切政雄;须贺秀幸;高田学 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/304;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能从切割带稳定地释放芯片的技术，包括在将压敏粘结带粘附到形成有集成电路的半导体晶片的电路形成面的同时，将半导体晶片的背表面研磨为预定厚度以及强制地氧化半导体晶片的背表面，然后释放粘附到半导体晶片的电路形成面的压敏粘结带，将切割带粘附到半导体晶片的背表面，而且通过切割将半导体晶片分别分为各个芯片，以及借助于切割带按压芯片的背表面，由此从切割带释放芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在具有第一厚度的半导体晶片的第一主表面上或上方形成电路图形；(b)在所述第一主表面上粘结第一带；(c)研磨所述半导体晶片的第二主表面，以使所述半导体晶片为第二厚度；(d)强制地氧化所述半导体晶片的所述第二主表面；以及(e)释放粘附到所述半导体晶片的所述第一主表面的所述第一带以及将第二带粘附到所述半导体晶片的所述第二主表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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