[发明专利]制造平面光波导电路的方法和平面光波导电路有效
| 申请号： | 200410103463.7 | 申请日： | 2002-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1629666A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 韩元泽;曹正植 | 申请（专利权）人： | 奥普托内斯特公司;光州科学技术院 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 韩国光*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造平面光波导电路的方法，包括如下步骤：在一个硅晶片上形成一个缓冲覆层；在缓冲覆层上形成一个多孔芯层；用毫微尺寸的半导体微粒掺杂多孔芯层，以便形成一个掺杂芯层；烧结掺杂芯层；使掺杂芯层形成图形，以便形成芯部分；以及在缓冲覆层和芯部分上面形成一个上面覆层。此外，本发明还公开了一种平面光波导电路，包括：一个硅衬底；一个在硅衬底上形成的缓冲覆层；一个在缓冲覆层上形成的芯；一个在缓冲覆层和芯上面形成的上面覆层，其中芯掺杂有毫微尺寸的半导体微粒。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 平面 波导 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造平面光波导电路的方法，包括如下步骤：在一个硅晶片上形成一个缓冲覆层；在缓冲覆层上形成一个多孔芯层；用毫微尺寸的半导体微粒掺杂多孔芯层，以便形成一个掺杂芯层；烧结掺杂芯层；使掺杂芯层形成图形，以便形成芯部分；以及在缓冲覆层和芯部分上面形成一个上面覆层。
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