[发明专利]CMOS图像传感器以及用于制作它的方法

摘要

互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和其制造方法被公开。在一个实例中，所述方法包括在具有其上限定有活性区和器件分割区的p型半导体基片上形成至少第一垫层和第二垫层；去除在器件分割区上的第一垫层和第二垫层，以便于暴露p型半导体层，以及选择性去除已暴露的p型半导体层，由此形成沟槽；在沟槽内壁上所形成的p型半导体基片的部分上形成第一p型杂质区，从而在p型半导体基片的整个表面上形成器件分割绝缘层，以便于充填沟槽；去除器件分割绝缘层，以便于器件分割绝缘层仅保留在沟槽中，并且去除第二垫层；以及向活性区注入n型杂质离子，由此形成光电二极管区。

主权项

1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，包括：具有其上限定器件分割区和活性区的半导体基片，；具有由p型杂质区所覆盖的所述半导体基片的所述活性区以及根据光的亮度产生光电荷的光电二极管；以及形成在光电二极管的垂直线上的滤色层和微透镜。