[发明专利]制造硅上液晶间隙物的方法

摘要

本发明是关于一种硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，可用在多步骤蚀刻制程中用来制造硅上液晶显示器的间隙物与沟渠。其中包括提供一硅基板，其上依序具有介电绝缘层与金属画素电极。接着在此金属画素电极上沉积第二介电绝缘层。然后，在此第二介电绝缘层上沉积硬罩幕层。接下来在此硬罩幕层上进行微影制程将图案转移至光阻上面，再利用电浆蚀刻将未被光阻保护的硬罩幕层与第二介电绝缘层加以去除，以形成间隙物。接着去除在此进行处理的表面上所残余的光阻与高分子蚀刻残留物。最后，进行第二次电浆蚀刻制程，以在相邻于此间隙物的金属画素电极之间向下蚀刻产生沟渠。

主权项

1、一种硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，应用在一多步骤蚀刻制程中，其特征在于其至少包括以下步骤：提供一硅基板，至少包含置于硅基板上的一第一介电绝缘层、复数组第一金属画素电极对与复数组第二金属画素电极对；在该些组的第一与第二金属画素电极对上沉积一第二介电绝缘层；在该第二介电绝缘层上沉积一硬罩幕层；在该硬罩幕层上进行微影制程产生图案化的一光阻，该光阻作为一蚀刻罩幕；进行第一次电浆蚀刻制程，将未被该光阻保护的该硬罩幕层与该第二介电绝缘层去除，在该些组的第一金属画素电极对之间的上方分别形成一间隙物；去除残留的该光阻与高分子蚀刻残留物；以及进行第二次电浆蚀刻制程，向下蚀刻暴露出的该第一介电绝缘层，以在该些组的第二金属画素电极对之间分别形成一沟渠。