[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410103700.X 申请日: 2004-12-27
公开(公告)号: CN1638149A 公开(公告)日: 2005-07-13
发明(设计)人: 村田智洋;广濑裕;田中毅;上本康裕 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L29/812 分类号: H01L29/812;H01L29/41;H01L21/338
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在使用III~V族氮化物半导体的半导体装置中,可以确实抑制由III~V族氮化物半导体的上表面的空穴引起的频率分散。在衬底11上顺次形成了由氮化铝(AlN)形成的缓冲层12,由不掺杂的氮化镓(GaN)形成的沟道层13及由氮化镓铝(AlGaN)形成的载流子供给层14,在载流子供给层14的上部设置了断面V字形状的凹陷部分14b。在载流子供给层14上,设置填充凹陷部分14b形式的栅极电极15的同时,在栅极电极15的侧方以一定的间隔设置源极电极16及漏极电极17。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征为:包括:具有载流子漂移的沟道区域的III~V族氮化物半导体层,设置在上述III~V族氮化物半导体层中的上述沟道区域上侧部分的凹陷部分,形成在上述III~V族氮化物半导体层之上跨越上述凹陷部分及该凹陷部分周围部分的半导体层上,与该半导体层之间形成肖特基接合部分,由导电性物质形成的肖特基电极;设定在上述凹陷部分,在深度方向的尺寸以便上述肖特基电极中设置在上述凹陷部分的部分,可调整在上述沟道区域漂移的载流子量。
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