[发明专利]电子器件和该电子器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410103753.1 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1674284A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 鲜于文旭;野口隆;柳寅儆;朴永洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/82;H01L21/8239;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王景刚;王冉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子器件和一种制造该种电子器件的方法。该电子器件包括第一衬底、在第一衬底上提供的第一下电容器、在第一下电容器上提供的第一下开关元件和在第一下开关元件上提供的第二衬底。该电子器件还包括与所述第一下电容器不接触的第二下开关元件和该第二衬底上的上电容器，其中上电容器的下电极连接第二下开关元件。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电随机存取存储器，包括：第一衬底；第一衬底上提供的第一下电容器；第一下电容器上提供的第一下开关元件；和第一下开关元件上提供的第二衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
