[发明专利]电子零件、介电陶瓷组合物及其生产方法有效

专利信息
申请号: 200410103803.6 申请日: 2004-11-19
公开(公告)号: CN1619727A 公开(公告)日: 2005-05-25
发明(设计)人: 梅田裕二;佐藤阳 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01B3/12;C04B35/64;H01G4/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 郭煜;庞立志
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种介电陶瓷组合物的制造方法,其具有主成分原料和副成分原料的烧结步骤,烧结前的上述主成分原料使用由ABO3表示的钙钛矿型结晶构造的钛酸钡原料粉末,其A位点成分和B位点成分的摩尔比A/B为1.006≤A/B≤1.035,比表面积为8~50m2/g。根据本发明,能提供一种由微细颗粒构成的、即使在电容器薄层化的情况下仍具有良好的电特性和温度特性的介电陶瓷组合物。
搜索关键词: 电子零件 陶瓷 组合 及其 生产 方法
【主权项】:
1、一种介电陶瓷组合物的生产方法,包含烧结含有主成分原料和副成分原料的介电体原料的步骤,其特征在于,上述副成分原料含有Mg的氧化物和/或在烧结后变为它们的氧化物的化合物、和至少一种Mn和Cr的的氧化物和/或在烧结后变为它们的氧化物的化合物,其含量相对于100摩尔的主成分原料,换算成MgO、MnO、Cr2O3的话分别为:MgO:0.1~3摩尔,MnO+Cr2O3:0~0.5摩尔(但不包括0),烧结前的上述主成分原料使用由ABO3表示的钙钛矿型结晶构造的钛酸钡原料粉末,其A位点成分和B位点成分的摩尔比A/B为1.006≤A/B≤1.035,比表面积为8~50m2/g。
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