[发明专利]多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备有效

专利信息
申请号: 200410103815.9 申请日: 2004-10-20
公开(公告)号: CN1619775A 公开(公告)日: 2005-05-25
发明(设计)人: 朴志容;朴惠香 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20;H01L21/00;B23K26/00;G02F1/136;G09G3/36
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒;魏晓刚
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及制造多晶硅薄膜的方法,其中使用具有激光可透图形组和激光不可透图形组的混合结构的掩膜,通过激光使非晶硅结晶,其中掩膜包括两个或者多个点图形组,其中不可透图形垂直于扫描方向轴,且点图形组具有一定的形状,并且包括第一不可透图形,其在垂直于扫描方向轴的方向上各自地不排成一列,以及与第一不可透图形相同布置地形成的第二不可透图形,但以使第二不可透图形与第一不可透图形平行并平行于与扫描方向轴垂直的轴的方式被定位。
搜索关键词: 多晶 薄膜 制造 方法 以及 使用 设备
【主权项】:
1.一种使用激光由非晶硅制造多晶硅薄膜的方法,包括:使用具有激光透射图形组和非激光透射图形组的掩膜;在激光照射后,以确定的距离移动所述掩膜,其中非激光透射图形组包括垂直于扫描轴形成的两个或者多个点图形组,其中,点图形组包括:第一非透射图形,在与扫描轴垂直的轴向上不被排成一列,第二非透射图形,与第一非透射图形的布置相同地形成,但以使第二非透射图形与第一非透射图形平行并与垂直于扫描方向轴的轴平行的方式被定位。
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