[发明专利]利用激光束的处理装置有效
| 申请号： | 200410103876.5 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1619778A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 小林贤史;森重幸雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪斯科 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C03B33/09;B23K26/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康;陈景峻 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种利用激光束的处理装置，其包括保持工件的保持装置；和激光束施加装置，利用能够通过工件的脉冲激光束照射由保持装置保持的工件，由此损蚀工件。激光束施加装置包括脉冲激光束振荡装置、和发送与聚焦由脉冲激光束振荡装置振荡产生的脉冲激光束的发送/聚焦装置。发送/聚焦装置利用提供的时间差将脉冲激光束聚焦到沿光轴方向移动的至少两个焦点上。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 激光束 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种利用激光束的处理装置，其包括保持工件的保持装置；和激光束施加装置，利用能够通过所述工件的脉冲激光束照射由所述保持装置保持的所述工件，由此损蚀所述工件，所述激光束施加装置包括脉冲激光束振荡装置、和发送与聚焦由所述脉冲激光束振荡装置振荡产生的脉冲激光束的发送/聚焦装置，其中所述发送/聚焦装置利用提供的时间差将脉冲激光束聚焦到沿脉冲激光束光轴方向移动的至少两个焦点上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
