[发明专利]薄膜形成方法和装置、有机电致发光装置的制造方法无效
| 申请号： | 200410104554.2 | 申请日： | 2004-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1638032A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 四谷真一 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H05B33/10;H05B33/12;C23C14/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可以高精度并且正确地进行掩模蒸镀等各种图案成膜的薄膜形成方法及薄膜形成装置，另外，提供一种使用了该薄膜形成方法的有机电致发光装置的制造方法及有机电致发光装置、具有该有机电致发光装置的电子设备。该薄膜形成方法是在基板(G)和材料源(1)之间配置掩模(M)，在基板(G)上将所述材料源(1)的材料作为薄膜而形成的薄膜形成方法，其特征是，具有使掩模(M)和基板(G)密接的基板密接工序、测定掩模(M)和基板(G)之间的间隙的间隙测定工序、根据该间隙测定工序的测定结果形成所述薄膜的薄膜形成工序。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 装置 有机 电致发光 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成方法，是在基板和材料源之间配置掩模，在所述基板上将所述材料源的材料作为薄膜而形成的薄膜形成方法，其特征是，具有：使所述掩模和所述基板密接的基板密接工序；测定所述掩模和所述基板之间的间隙的间隙测定工序；根据该间隙测定工序的测定结果，形成所述薄膜的薄膜形成工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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