[发明专利]固态图像传感器及其制造方法有效
申请号: | 200410104559.5 | 申请日: | 2004-12-22 |
公开(公告)号: | CN1722454A | 公开(公告)日: | 2006-01-18 |
发明(设计)人: | 大川成实 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82;H04N5/335 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑特强;张浴月 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种固态图像传感器及其制造方法。该固态图像传感器包括:具有彩色像素区域和黑色像素区域的第一导电类型的半导体衬底;在该彩色像素区域中形成的第一导电类型的第一阱;在该黑色像素区域中形成的第一导电类型的第二阱;围绕该第二阱形成的第二导电类型的第三阱;在该彩色像素区域中的第一阱中形成的彩色像素,并且该彩色像素包括第一光电二极管和第一读取晶体管;以及在该黑色像素区域中的第二阱中形成的黑色像素,并且该黑色像素包括第二光电二极管和第二读取晶体管。该第一阱包括第一导电类型的第一埋入式掺杂层。该第二阱包括第一导电类型的第二埋入式掺杂层。利用本发明,能够确保与制造外围电路晶体管的过程相兼容,而实现像素的高灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种固态图像传感器,其特征在于包括:第一导电类型的半导体衬底,具有彩色像素区域和黑色像素区域;第一导电类型的第一阱,形成在该彩色像素区域中;第一导电类型的第二阱,形成在该黑色像素区域中;第二导电类型的第三阱,形成为围绕该第二阱并将该第二阱与该半导体衬底的其余区域隔离开;彩色像素,形成在该彩色像素区域中的该第一阱中,并且包括第一光电二极管和用于读取该第一光电二极管产生的信号的第一读取晶体管;以及黑色像素,形成在该黑色像素区域中的该第二阱中,并且包括第二光电二极管和用于读取该第二光电二极管产生的信号的第二读取晶体管;该第一阱包括第一导电类型的第一埋入式掺杂层,该第一埋入式掺杂层形成在该第一阱的底部处,并在用于形成该第一读取晶体管的区域中,该第二阱包括第一导电类型的第二埋入式掺杂层,该第二埋入式掺杂层形成在该第二阱的底部处,并在用于形成该第二光电二极管的区域和用于形成该第二读取晶体管的区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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