[发明专利]固态图像传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410104559.5 申请日: 2004-12-22
公开(公告)号: CN1722454A 公开(公告)日: 2006-01-18
发明(设计)人: 大川成实 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/82;H04N5/335
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 郑特强;张浴月
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种固态图像传感器及其制造方法。该固态图像传感器包括:具有彩色像素区域和黑色像素区域的第一导电类型的半导体衬底;在该彩色像素区域中形成的第一导电类型的第一阱;在该黑色像素区域中形成的第一导电类型的第二阱;围绕该第二阱形成的第二导电类型的第三阱;在该彩色像素区域中的第一阱中形成的彩色像素,并且该彩色像素包括第一光电二极管和第一读取晶体管;以及在该黑色像素区域中的第二阱中形成的黑色像素,并且该黑色像素包括第二光电二极管和第二读取晶体管。该第一阱包括第一导电类型的第一埋入式掺杂层。该第二阱包括第一导电类型的第二埋入式掺杂层。利用本发明,能够确保与制造外围电路晶体管的过程相兼容,而实现像素的高灵敏度。
搜索关键词: 固态 图像传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种固态图像传感器,其特征在于包括:第一导电类型的半导体衬底,具有彩色像素区域和黑色像素区域;第一导电类型的第一阱,形成在该彩色像素区域中;第一导电类型的第二阱,形成在该黑色像素区域中;第二导电类型的第三阱,形成为围绕该第二阱并将该第二阱与该半导体衬底的其余区域隔离开;彩色像素,形成在该彩色像素区域中的该第一阱中,并且包括第一光电二极管和用于读取该第一光电二极管产生的信号的第一读取晶体管;以及黑色像素,形成在该黑色像素区域中的该第二阱中,并且包括第二光电二极管和用于读取该第二光电二极管产生的信号的第二读取晶体管;该第一阱包括第一导电类型的第一埋入式掺杂层,该第一埋入式掺杂层形成在该第一阱的底部处,并在用于形成该第一读取晶体管的区域中,该第二阱包括第一导电类型的第二埋入式掺杂层,该第二埋入式掺杂层形成在该第二阱的底部处,并在用于形成该第二光电二极管的区域和用于形成该第二读取晶体管的区域中。
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