[发明专利]薄膜磁头的制造方法无效
| 申请号： | 200410104673.8 | 申请日： | 2002-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1645479A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 工藤一惠;冈田泰行;府山盛明;丸山洋治;及川玄 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 薄膜磁头的制造方法，该薄膜磁头具有下部磁极、与下部磁极相对设置的上部磁极和在上、下部磁极之间设置的磁间隙膜，其特征是在磁间隙膜上，由溅镀法成膜含有Co、Ni、Fe为10≤Co≤80重量％、0≤Ni≤25重量％和15≤Fe≤90重量％的第1磁性膜、而且在第1磁性膜上由电镀法成膜含有Co、Ni、Fe为10≤Co≤80重量％、0≤Ni≤25重量％和15≤Fe≤90重量％的第2磁性膜而形成的上部磁极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.薄膜磁头的制造方法，该薄膜磁头具有下部磁极、与下部磁极相对设置的上部磁极和在上、下部磁极之间设置的磁间隙膜，其特征是在磁间隙膜上，由溅镀法成膜含有Co、Ni、Fe为10≤Co≤80重量％、0≤Ni≤25重量％和15≤Fe≤90重量％的第1磁性膜、而且在第1磁性膜上由电镀法成膜含有Co、Ni、Fe为10≤Co≤80重量％、0≤Ni≤25重量％和15≤Fe≤90重量％的第2磁性膜而形成的上部磁极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所，未经株式会社日立制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410104673.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
