[发明专利]对齐晶片的方法无效
| 申请号： | 200410104929.5 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1661771A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 潘槿道 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭示一种对齐晶片的方法，该方法包括：在一曝光装置中载入并对齐第一晶片；从该第一晶片的多个晶片对齐标记中选择一无缺陷的晶片对齐标记，并在一工作文件中将该无缺陷的晶片对齐标记储存为灰阶参考图像；载入第二晶片，并将该第二晶片的多个晶片对齐标记储存为灰阶晶片对齐标记图像；分别将该第二晶片的多个晶片对齐标记图像中的每一个与该第一晶片的参考图像逐像素地进行比较，以获得该多个晶片对齐标记图像中每一个的匹配值；将该多个匹配值的每一个与该曝光装置中所设定的一最小值比较；用该参考图像来取代匹配值小于该最小值的该晶片对齐标记图像；及使用晶片对齐传感器来获得底层的对齐信息。 | ||
| 搜索关键词： | 对齐 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于对齐晶片的方法，其包含以下步骤：(a)在一曝光装置中载入并对齐第一晶片；(b)从该第一晶片的多个晶片对齐标记中选择一无缺陷的晶片对齐标记，并在一工作文件中将该无缺陷的晶片对齐标记储存为一灰阶参考图像；(c)载入第二晶片，并将该第二晶片的多个晶片对齐标记储存为多个灰阶晶片对齐标记图像；(d)分别将该第二晶片的该多个晶片对齐标记图像的每一个与该第一晶片的该参考图像逐像素地进行比较，以获得该多个晶片对齐标记图像中每一个的匹配值；(e)将该多个匹配值的每一个与该曝光装置中所设定的一最小值进行比较；(f)用该参考图像来取代匹配值小于该最小值的该晶片对齐标记图像；及(g)使用晶片对齐传感器来获得底层的对齐信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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