[发明专利]半导体器件和制造方法以及电镀液有效
| 申请号： | 200410104947.3 | 申请日： | 2003-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1652310A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 上野和良 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C25D3/46 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提高应力－迁移电阻以及包含金属区的半导体器件中的可靠性。在绝缘膜(101)中形成由阻挡金属膜(102)和铜－银合金膜(103)上组成的下互连，然后在其上形成夹层绝缘膜(104)。在夹层绝缘膜(104)中形成由阻挡金属膜(106)和铜－银合金膜(111)组成的上互连。下和上互连用含有的银与总量之比超过银比铜的固溶体限度的铜－银合金制成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 电镀 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，其包括步骤：在半导体衬底的形成器件的表面上形成包含铜的金属区并使其接触含银的溶液；以及加热金属区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
