[实用新型]渐加温式锡球熔接装置无效

专利信息
申请号: 200420002311.3 申请日: 2004-02-03
公开(公告)号: CN2691049Y 公开(公告)日: 2005-04-06
发明(设计)人: 李宏祺 申请(专利权)人: 德迈科技有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 文琦;陈肖梅
地址: 台湾省台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型涉及一种渐加温式锡球熔接装置,尤指在输送装置中设置逐渐加温的区段,对植球模块中的锡球进行逐渐加温熔解,而使锡球熔接于芯片的接脚上;该熔接装置于工作用的输送装置两端设有驱动轴,并于驱动轴上卷绕有输送带,且在输送带间形成容置室以供设置加热装置,再将植球模块置于输送带上,即通过输送带运送植球模块行进位移,且分别经过输送带上形成的预热区、加热区、熔解区及冷却区,使植球模块中的锡球熔解,并熔接于芯片的接脚上,再加施以降温冷却以完成锡球溶接的加热;而输送带上可重复置放多个植球模块,以达到提升加热数量及速度的功效。
搜索关键词: 加温 式锡球 熔接 装置
【主权项】:
1、一种渐加温式锡球熔接装置,其主要于输送装置两端设有驱动轴,并于驱动轴上卷绕有输送带,而在卷绕的输送带间形成容置室,其特征在于:该输送带的容置室内设置有加热装置,且加热装置依其温度高低不同,而在输送带上形成预热区、加热区、熔解区及冷却区,植球模块置于输送带上。
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