[实用新型]渐加温式锡球熔接装置无效
申请号: | 200420002311.3 | 申请日: | 2004-02-03 |
公开(公告)号: | CN2691049Y | 公开(公告)日: | 2005-04-06 |
发明(设计)人: | 李宏祺 | 申请(专利权)人: | 德迈科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 文琦;陈肖梅 |
地址: | 台湾省台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种渐加温式锡球熔接装置,尤指在输送装置中设置逐渐加温的区段,对植球模块中的锡球进行逐渐加温熔解,而使锡球熔接于芯片的接脚上;该熔接装置于工作用的输送装置两端设有驱动轴,并于驱动轴上卷绕有输送带,且在输送带间形成容置室以供设置加热装置,再将植球模块置于输送带上,即通过输送带运送植球模块行进位移,且分别经过输送带上形成的预热区、加热区、熔解区及冷却区,使植球模块中的锡球熔解,并熔接于芯片的接脚上,再加施以降温冷却以完成锡球溶接的加热;而输送带上可重复置放多个植球模块,以达到提升加热数量及速度的功效。 | ||
搜索关键词: | 加温 式锡球 熔接 装置 | ||
【主权项】:
1、一种渐加温式锡球熔接装置,其主要于输送装置两端设有驱动轴,并于驱动轴上卷绕有输送带,而在卷绕的输送带间形成容置室,其特征在于:该输送带的容置室内设置有加热装置,且加热装置依其温度高低不同,而在输送带上形成预热区、加热区、熔解区及冷却区,植球模块置于输送带上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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