[实用新型]氮化物半导体元件无效
| 申请号： | 200420003849.6 | 申请日： | 2004-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN2717023Y | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 杉本康宜;米田章法 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种低电阻、具有可靠性优良的电极结构的氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于第1电极的形状构成的第2电极，其特征在于：第1电极和上述第2电极具有由形成第1电极表面的第1电极的上层和沉积在热处理后的第1电极上的第2电极的下层构成的接合层区，接合层区由铂族元素构成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，在半导体层上具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于上述第1电极的形状构成的第2电极，其特征在于：设置所述第1电极的半导体层表面具有电极形成区域和绝缘膜形成区域，所述第2电极从所述电极形成区域被覆到绝缘膜形成区域。
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