[实用新型]CMOS组件无效
| 申请号： | 200420007675.0 | 申请日： | 2004-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN2731717Y | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 高健朝;葛崇祜;李文钦;胡正明;卡罗斯;杨富量 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种CMOS组件，其结构包括将闸极电极设于基底上，将源极/汲极设于闸极电极两侧的基底中，将应力缓冲衬层顺应性地配置于闸极电极两侧且部分延伸至基底表面，并将应力层设于闸极电极、应力缓冲衬层和源极/汲极上，且与应力缓冲衬层接触，藉以提高闸极电极下方基底中的通道区的应力。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 组件 | ||
【主权项】：
1、一种CMOS组件，其特征在于包括：一基底；一闸极电极，设在该基底上；一源极/汲极，设在该闸极电极两侧的该基底中；一应力缓冲衬层，顺应性地配置在该闸极电极两侧且部分延伸至该基底表面；以及一应力层，设在该闸极电极、该应力缓冲衬层和该源极/汲极上，且与该应力缓冲衬层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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