[实用新型]薄膜晶体管有源矩阵有机发光顶上发光器件无效
申请号: | 200420011552.4 | 申请日: | 2004-02-16 |
公开(公告)号: | CN2698003Y | 公开(公告)日: | 2005-05-04 |
发明(设计)人: | 黄锡珉 | 申请(专利权)人: | 黄锡珉 |
主分类号: | H05B33/12 | 分类号: | H05B33/12;H05B33/10 |
代理公司: | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人: | 李恩庆 |
地址: | 130022吉林省长*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本实用新型属于电致发光显示技术领域,是一种薄膜晶体管有源矩阵有机发光器件。本实用新型结构是在硅或石英或玻璃基板上TFT(薄膜晶体管)(或MOS:金属-氧化物-半导体)阵列基板和单色光或三基色光或白光OLED(有机发光)屏之间导电连结成TFTAM-OLED顶上发光器件新型结构。设计了OLED屏的金属电极和驱动TFT漏电极的新型形状,干燥剂涂布,驱动TFT漏电极与OLED屏金属电极之间用各向异性导电胶导电连结方法等新技术。采用本实用新型器件结构和生产TFTAM-OLED顶上发光新产品技术,可提高成品率,降低成本,将取得重大经济效益,并且具有高开口率、高亮度、高分辨率等特性。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 有源 矩阵 有机 发光 顶上 器件 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管有源矩阵有机发光顶上发光器件包含:由漏极区(17)、遮光层(13)、栅极(16)、源极区(15)、存储电容器(18)、衬底(19)、绝缘层(14)、驱动TFT漏电极(20)构成的TFT或MOS阵列基板,由透明塑料薄膜或偏振膜(1)、玻璃基板(2)、ITO正电极(3)、空穴传输层(5)、有机发光层(6)、电子传输层(8)、金属负电极(9)构成的OLED屏,其特征是TFT或MOS阵列基板作为下基板、OLED屏作为上基板,在下基板的驱动TFT漏电极(20)间隙之间有一干燥剂材料层(12),通过漏电极(20)和金属负电极(9)把TFT或MOS阵列基板与OLED屏之间用各向异性导电胶的导电粒子(11)连接,最后用封装胶(10)封装;所述OLED屏的ITO正电机(3)上镀有金属网(4),在金属网(4)线上制有树脂隔离墙(7)。
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