[实用新型]一种新型的KDP类晶体的生长装置无效

专利信息
申请号: 200420013227.1 申请日: 2004-12-28
公开(公告)号: CN2761627Y 公开(公告)日: 2006-03-01
发明(设计)人: 潘建国;曾金波;林秀钦;魏兆敏;林羽;林敢 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/14 分类号: C30B29/14;C30B7/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种新型的KDP类晶体的生长装置,涉及人工晶体生长领域。它是由主槽体6和育晶缸8两个部分组成。本实用新型的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氯钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及同系列的KDP类晶体的生长。使用这种生长装置,能很好地克服在晶体生长过程中杂晶的干扰,提高晶体生长的成功率,并能提高晶体的生长温度,从而有效地提高晶体的质量和产率。
搜索关键词: 一种 新型 kdp 晶体 生长 装置
【主权项】:
1.一种新型的KDP类晶体的生长装置由主槽体(6)和育晶缸(8)两个部分组成,主槽体由内外两层组成,外层是用塑料制作,内层不锈钢材料,主槽体(6)还包括加热器(4)、搅拌器(5)和测温感应器(10)几部分;育晶缸(8)由载晶架(3)、缸盖(2)、液封装置(1)、晶体(9)以及保护材料(7)几部分组成;主槽体6的形状为圆柱形,圆柱的上底面有圆形的开口,开口的内直径等于漏斗形底育晶缸8的外直径,育晶缸8和主槽体6之间入装蒸馏水。
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