[实用新型]金属－电介质－金属电容无效
| 申请号： | 200420019415.5 | 申请日： | 2004-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN2796101Y | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01G4/33 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蒋方凯 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种金属－电介质－金属电容，旨在提供一种可增大单位硅片面积的电容容量的金属－电介质－金属电容。其技术方案的要点是：包括下部电极、电介质膜、上部电极，在制作电容的区域上的层间膜上设置有凹槽，在所述凹槽上设置下部电极；在所述下部电极上设有所述电介质膜，在所述电介质膜上设有所述上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 电介质 电容 | ||
【主权项】：
1、一种金属-电介质-金属电容，包括下部电极、电介质膜、上部电极，其特征在于：在制作电容的区域上的层间膜上设置有凹槽，在所述凹槽上设置下部电极；在所述下部电极上设有所述电介质膜，在所述电介质膜上设有所述上部电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
