[实用新型]锂电池保护集成电路芯片无效
| 申请号： | 200420019904.0 | 申请日： | 2004-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN2718798Y | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 汪东旭 | 申请（专利权）人： | 汪东旭 |
| 主分类号： | H01M10/42 | 分类号： | H01M10/42;H01M6/50;H02J7/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200050上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种锂电池保护集成电路芯片。它由底板、硅片、引脚和塑封管壳构成，硅片中的电路结构包含有基准电压源电路、休眠控制器和需休眠的模块等等。于休眠控制器由六个MOS晶体管组成三级倒相器构成，每级由两个互补的NMOS晶体管和PMOS晶体管组成，休眠控制器的输入端连接基准电压源电路的输出端，检测对象是电源电压。输出端分别接到一个MOS晶体管，控制一个需休眠的模块。本实用新型采用的休眠控制电路本身能耗少，且可稳定工作。 | ||
| 搜索关键词： | 锂电池 保护 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种锂电池保护集成电路芯片，由底板(4)、硅片(3)、引脚(1)和塑封管壳(2)构成；制成的电路集成在硅片(3)上，电路结构中包含有基准电压源电路(6)、休眠控制器(7)和需休眠的模块(5、8、10)等；休眠控制器(7)由六个MOS晶体管(M1-M6)组成三级倒相器构成，每级由两个互补的NMOS晶体管和PMOS晶体管组成，休眠控制器(7)的一个输入端连接基准电压源电路(6)的输出端，检测对象是电源电压，输出端(Sb)分别各经一个作为开关的MOS晶体管去控制需休眠的模块(8、10、12)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汪东旭，未经汪东旭许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200420019904.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：便于更换的机械式传感器
- 下一篇：一种充电器结构改良
