[实用新型]带过压保护的充退磁可控硅开关电路无效
| 申请号： | 200420023863.2 | 申请日： | 2004-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN2757305Y | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 何时金;何军义;沈钟炎 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁有限公司 |
| 主分类号： | H01F13/00 | 分类号： | H01F13/00;H02H9/04 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于充退磁装置的具有过压保护功能的可控硅开关电路的结构改良。包括可控硅，与可控硅相连的导通电源，其特征是在所述的可控硅SCR1与保护电路A相连，可控硅SCR2与保护电路B相连；所述的可控硅SCR1和可控硅SCR2相互并联，且通过开关与导通电源U相连。因此，本实用新型具有如下优点：1.设计合理，结构简单，效果明显；2.在高电压时有效地对可控硅起到保护作用；3.线路布局合理，功能全面，能够方便地实现对充退磁过程的控制；4.工作性能稳定，使用寿命长，制作成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 退磁 可控硅 开关电路 | ||
【主权项】：
1.一种带过压保护的充退磁可控硅开关电路，包括可控硅，与可控硅相连的导通电源，其特征是在所述的可控硅SCR1与保护电路A相连，可控硅SCR2与保护电路B相连；所述的可控硅SCR1和可控硅SCR2相互并联，且通过开关与导通电源U相连。
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