[实用新型]甚高频/特高频频段集成电路连续相位频移键控发射机无效
| 申请号： | 200420028826.0 | 申请日： | 2004-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN2697965Y | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 吴嶽 | 申请（专利权）人： | 天津中津微电子有限公司 |
| 主分类号： | H04L27/12 | 分类号： | H04L27/12 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 解松凡 |
| 地址： | 300192天*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种甚高频/特高频频段无线通信用单片发射机，特别是将频率合成器、调制器等几个组成部分集成在一块电路上的连续相位频移键控发射机，属于无线通信技术领域。本实用新型的目的在于公开了一种甚高频/特高频频段集成电路连续相位频移键控发射机，解决载波跟踪方法中调制信号为NRZ(不归零)信号的问题；调制跟踪中，频带利用率将很低问题。所采用的技术方案是：将频率合成器、CPFSK调制器和射频功率放大器集成在一个芯片上，采用两个锁相环解决锁相环调频时调制速率和锁相环环路带宽之间的矛盾，调制信号可为NRZ(不归零)信号，调制速率可变，允许调制信号带有直流分量。有益效果是：集成度高，价格低，需用外围元件少。 | ||
| 搜索关键词： | 甚高频 高频 频段 集成电路 连续 相位 键控 发射机 | ||
【主权项】：
1.一种甚高频/特高频频段集成电路连续相位频移键控发射机，包括：频率合成器(2)，用于产生频率为f1的信号S1(t)；上变频电路(3)，用于产生已调信号S2(t)；CPFSK信号发生器(4)，用于产生中心频率为f0的信号S3(t)；功率放大器(5)，用于放大已调信号S2(t)；其特征在于：频率合成器产生的信号S1(t)和CPFSK信号发生器产生的信号S3(t)同时输入至上变频电路，上变频电路产生的已调信号S2(t)送至功率放大器，经功率放大器放大后输出；以上所述电路集成在同一CMOS电路芯片上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中津微电子有限公司，未经天津中津微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200420028826.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
