[实用新型]一种治疗仪用半导瓷厚膜远红外发热治疗头无效
申请号: | 200420033982.6 | 申请日: | 2004-06-11 |
公开(公告)号: | CN2706187Y | 公开(公告)日: | 2005-06-29 |
发明(设计)人: | 陈光杰 | 申请(专利权)人: | 重庆环球医疗器械有限公司 |
主分类号: | A61N5/06 | 分类号: | A61N5/06;A61F7/00 |
代理公司: | 重庆华科专利事务所 | 代理人: | 康海燕 |
地址: | 400039重庆市九*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种治疗仪用半导瓷厚膜远红外发热治疗头,它包括有底部的防护罩、中间固定的发热体和表面设置的元素板。其中发热体是由陶瓷基座和半导瓷厚膜远红外发热元件构成,半导瓷厚膜远红外发热元件固定在陶瓷基座上。半导瓷厚膜远红外发热元件是以氧化铝陶瓷为基体,其表面涂覆有一层含有稀土元素的发热膜,半导瓷厚膜远红外发热元件通过电极引出导线。本治疗头具有较高的热转换效率,能耗低,使用寿命长,可适应不同的治疗部位,对热能的有效利用高,使用安全。 | ||
搜索关键词: | 一种 治疗 仪用半导瓷厚膜远 红外 发热 | ||
【主权项】:
1、一种治疗仪用半导瓷厚膜远红外发热治疗头,包括有底部的防护罩、中间固定的发热体和表面设置的元素板,其特征在于:发热体由陶瓷基座和半导瓷厚膜远红外发热元件构成,半导瓷厚膜远红外发热元件固定在陶瓷基座上,半导瓷厚膜远红外发热元件是以氧化铝陶瓷为基体,其表面涂覆有一层含有稀土元素的发热膜,半导瓷厚膜远红外发热元件通过电极引出导线。
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