[实用新型]反应离子刻蚀机样品台无效
| 申请号： | 200420035043.5 | 申请日： | 2004-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN2673883Y | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 何小锋;赵李健;单能飞;陈晓东 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C23F1/00 | 分类号： | C23F1/00;C23F1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410073湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种适用于离子束刻蚀与微细加工技术领域的反应离子刻蚀机样品台，它主要由阴极、支架、水冷装置、射频信号连接器和屏蔽罩构成。其阴极的各种连接与真空室完全隔离，从而使反应离子刻蚀系统真空室的真空质量得到良好的保障；样品台与真空室之间采用法兰连接，安装和维护快速方便，并且在承载样品的阴极外面还安装了一个屏蔽罩，用以将阴极的非工作区与真空室隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 离子 刻蚀 样品 | ||
【主权项】：
1.一种反应离子刻蚀机样品台，主要由阴极、支架、水冷装置和射频信号连接器构成，其特征是：样品台的一侧置于真空室，另一侧置于大气中。
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